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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 28.3: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 15:00–15:15, H17

Untersuchung von GaSb Quantenpunkten in GaAs mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •R. Timm, A. Lenz, H. Eisele, Ch. Hennig, L. Müller-Kirsch, U.W. Pohl, D. Bimberg und M. Dähne — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOCVD) gewachsene GaSb Quantenpunkte in einer GaAs Matrix wurden mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) untersucht. GaSb/GaAs Quantenpunkte zeichnen sich durch eine Typ-II-Bandkantenanpassung mit einer niedrigen Übergangsenergie von 1.1 eV aus [1,2]. Die Rastertunnelmikroskopie ermöglicht eine direkte Abbildung der Querschnittsfläche mit atomarer Auflösung. Bisher wurden nach unserem Wissen überwachsene Typ-II-Quantenpunkte noch nicht mit STM studiert. Aus unseren Ergebnissen lassen sich wichtige strukturelle Eigenschaften der Quantenpunkte ermitteln.

[1] F. Hatami et al., Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995)

[2] L. Müller-Kirsch et al., Appl. Phys. Lett. 79, 1027 (2001)