Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 28: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 28.4: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 15:15–15:30, H17

STM-Untersuchungen an Querschnittsflächen von InAs-Quantenpunktschichten gewachsen auf einem verkippten GaAs(001)-Substrat — •Ch. Hennig, A. Lenz, R. Timm, M. Ternes, H. Eisele, T. Wehnert, E. Steimetz, W. Richter und M. Dähne — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

STM an Querschnittsflächen ist hervorragend geeignet, um im Realraum genaue Aussagen über die strukturellen Parameter wie Form, Größe und Stöchiometrie z. B. von Quantentrögen oder Quantenpunkten zu erhalten. Hier werden XSTM-Messungen an den Querschnittsflächen von InAs-Mehrfachschichten auf einem GaAs-Substrat vorgestellt, welches gegenüber der (001)-Orientierung um 2^∘ verkippt ist. Die Proben wurden mit MOVPE bei der relativ hohen Temperatur von 500^∘C gewachsen [1]. Es wurde beobachtet, daß das InAs beim Überwachsen in die bedeckende GaAs-Schicht segregiert und nur selten erkennbare Quantenpunkte entstehen [2]. Die lokale Stöchiometrie konnte mit Hilfe der Verspannung der Schichten bestimmt werden. Außerdem wurde die Verkippung des Substrats vermessen und eine Stufenbindung an den mit höherer Temperatur gewachsenen Schichten beobachtet.

[1] E. Steimetz, T. Wehnert, K. Haberland, J.-T. Zettler, and W. Richter, J. Cryst. Growth 195, 530 (1998)

[2] L.G. Wang, P. Kratzer, M. Scheffler, and Q.K.K. Liu, Appl. Phys. A 73, 161 (2001)