Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 28.5: Talk

Wednesday, March 13, 2002, 15:30–15:45, H17

In-situ Strukturierung durch Molekularstrahlepitaxie in Schattenmasken 02 — •T. Schallenberg und C. Schumacher — Physikalisches Institut, Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, 97084 Würzburg

Mit projektiven Verfahren lassen sich III-V und II-VI Verbindungshalbleiter in-situ in 3 Dimensionen strukturieren. Eine hohe Ortsauflösung (bis wenige nm) wird mit gerichteten Molekularstrahlen beim Wachstum durch ortsfeste, lithographisch prozessierte Masken erreicht. Auf diese Weise lassen sich Dotierung und Komposition lokal variieren, Schichten lateral versetzen, aufspalten oder in ihrer Breite relativ zur Maskenöffnung anpassen.

Neben dem Überwachsen besonders flacher Masken, haben wir alle Effusionszellen in der II-VI MBE mit Blenden versehen, um auflösungsbegrenzende Halbschatteneffekte zu minimieren. Wir wollen einen Überblick über die Möglichkeiten, aber auch die Probleme des Wachstums in dieser aussergewöhnlichen Konfiguration vermitteln. Zusätzlich zeigen wir, wie 3D-nanostrukturierte Schattenmasken dazu genutzt werden können, die Komplexität in-situ gewachsener Strukturen zu vergrössern.