Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Spinabh
ängiger Transport

HL 29.10: Talk

Wednesday, March 13, 2002, 17:45–18:00, H13

Der magnetoinduzierte photogalvanische Effekt in n-GaAs/AlGaAs Quantentrögen — •M. Sollinger¹, S. D. Ganichev^1,2, V. V. Bel’kov², E. L. Ivchenko², S. A. Tarasenko², F.-P. Kalz¹, D. Weiss¹, J. Eroms¹, W. Wegscheider¹ und W. Prettl¹ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russland

Wir berichten über die erste Beobachtung eines magnetfeldinduzierten zirkularen photogalvanischen Effekts (Magneto-CPGE) in Quantentrogstrukturen. Die Experimente wurden bei tiefen Temperaturen, T = 4.2 K, an (001)-orientierten n-GaAs/AlGaAs Quantentrogstrukturen durchgeführt. Aufgrund der Symmetrieklasse dieses Halbleiters (C_2v) ist ein Photostrom infolge zirkular polarisierter Strahlung nur bei schrägem Einfall des Lichts zu erwarten. Hier zeigen wir, daß das Anlegen eines magnetischen Feldes parallel zur Schichtebene zu einem helizitätsabhängigen Strom auch bei senkrechter Anregung führt. Der resultierende Strom ist parallel zum Magnetfeld und ändert seine Richtung sowohl bei Wechsel der Helizität des Lichts, als auch bei Wechsel der Magnetfeldrichtung. Eine Erhöhung der Magnetfeldstärke führt zu einer Depolarisierung der Spinorientierung (Hanle-Effekt), woraus sich eine Möglichkeit ergibt, die Spinrelaxationszeit freier Ladungsträger zu bestimmen.