Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 29: Spinabh
ängiger Transport

HL 29.8: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 17:15–17:30, H13

Raman-spektroskopische Untersuchungen an Ga_1−xMn_xAs — •M. Glunk, W. Limmer, S. Mascheck, A. Köder, R. Kling, W. Schoch, R. Sauer und A. Waag — Universität Ulm, Abteilung Halbleiterphysik, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm

Der semimagnetische Halbleiter Ga_1−xMn_xAs spielt aufgrund seiner ferromagnetischen Eigenschaften eine wichtige Rolle bei der Entwicklung neuartiger Spintronik-Bauelemente. Die Mn-Atome wirken dabei sowohl als Träger eines magnetischen Moments als auch als Akzeptoren, wobei die Löcherdichte p die Curie-Temperatur maßgeblich beeinflusst. Da die Bestimmung von p durch Hall-Messungen wegen des anomalen Hall-Effektes in GaMnAs sehr problematisch ist, bietet sich als alternative Methode die Raman-Streuung an gekoppelten Plasmon-LO-Phonon(PLP)-Moden an. Wir haben für eine Serie MBE-gewachsener Ga_1−xMn_xAs-Schichten (Wachstumstemperatur 250^oC) mit 0≤ x ≤ 3% die Löcherdichte mit Hilfe einer Linienformanalyse der PLP-Moden im Raman-Spektrum abgeschätzt. Darüber hinaus wurden die Verbreiterung und Verschiebung der TO-Phonon-Linie als Funktion von x sowie der Einfluss der Temperung bei Temperaturen oberhalb von 250^oC auf die Löcherdichte und die Kristallinität von GaMnAs analysiert.