Regensburg 2002 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 29: Spinabh
ängiger Transport
HL 29.9: Talk
Wednesday, March 13, 2002, 17:30–17:45, H13
Semimagnetische Tunnelstrukturen als Spinelektronik-Bauelemente — •A. Koeder1, S. Frank1, M. Oettinger1, W. Schoch1, S. Ivanov2, K. Thonke1, R. Sauer1 und A. Waag1 — 1Universität Ulm, Abteilung Halbleiterphysik, Albert-Einstein-Allee 45, 89069 Ulm — 2A.F. IOFFE Physiko-Technical Institute, St.Petersburg, Russia
Die Kontrolle und Steuerung des Elekronenspins in Halbleitern ist die Voraussetzung für mögliche Spinelektronik-Bauelemente. Ferromagnetische “Diluted magnetic semiconductors (DMS)“, wie z.B. GaMnAs, können evtl. als Spin-Injektoren oder Spin-Schalter eingesetzt werden.
Nachteil von GaMnAs ist die intrinsische p-Dotierung. Die Spin-Dephasierungszeit von Löchern ist allerdings aufgrund der großen Spin-Bahn-Wechselwirkung zu kurz.
In unserem Beitrag stellen wir ein Konzept zur Injektion spin-polarisierter Elektronen aus p-dotiertem GaMnAs vor. Basierend auf einem p+/n+-Übergang (entsprechend einer Esaki-Diode) kommt es bei einer in Sperrichtung angelegten Spannung zu einem Tunneln von Elektronen vom Valenzband der p-Seite ins Leitungsband der n-Seite. Die ferromagnetischen Esaki-Dioden (FEDs) wurden strukturell und elektrisch analysiert. In Kombination mit einer LED gibt die Analyse der Zirkularpolarisation des emittierten Lichtes Aufschluß über die Effizienz der Spin-Injektion dieser FEDs.