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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Heterostrukturen I

HL 3.12: Vortrag

Montag, 11. März 2002, 13:15–13:30, H14

Rekombinationseigenschaften dünner LT-GaAs und ErAs Schichten in niedrigdimensionalen Ladungsträgergasen — •Peter Pohl¹, Martin Eckardt¹, Axel Schwanhäusser¹, Andrea Friedrich¹, Christian Steen¹, Gottfried H. Döhler¹, Dan Driscoll², Micah Hanson² und Arthur Gossard² — ¹Institut für Technische Physik 1, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen — ²UCSB, Santa Barbara, USA

LT-GaAs (low temperature grown GaAs) findet for allem wegen seiner kurzen Ladungsträgerlebensdauer Anwendung in schnellen elektro-optischen Bauelementen. Diese kurze Lebensdauer ist auf der einen Seite zwingend erforderlich für Anwendungen im Bereich der THz-Mischer, gleichzeitig jedoch auch ein großer Nachteil im Hinblick auf die Effizienz solcher Elemente. Es wird ein Konzept vorgestellt, bei dem das LT-Material nur an speziellen Positionen in asymmetrischen Übergittern eingesetzt wird um einerseits die unerwünschten anfänglichen Rekombinationsprozesse zu unterdrücken, andererseits aber auch eine hinreichend große Rekombinationsrate zu erzielen. Hierfür sind vor allem Rekombinationsprozesse zwischen 2D-Ladungsträgergasen in schmalen LT-GaAs Schichten von Bedeutung. Hierzu wurden umfangreiche Untersuchungen an p-n und p-i-n-p Strukturen angestellt, die entweder eine dünne (8 nm) LT-GaAs Schicht oder eine Monolage an ErAs enthielten. Einerseits wurden die therm. aktivierten Tunnelprozesse in die tiefen Störstellenzustände des LT-GaAs untersucht, als auch Vergleiche zwischen den beiden Materialarten angestellt.