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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Hauptvortrag

HL 30.1: Hauptvortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 09:30–10:15, H15

SiGe:C Heterobipolartransistoren: Von der Materialforschung zur Chipherstellung — •H. Rücker, B. Heinemann, D. Knoll und K.-E. Ehwald — IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder)

Die modulare Integration von SiGe:C-Heterobipolartransistoren (HBTs) mit Grenzfrequenzen größer 100 GHz ermöglicht es, die Anforderungen der drahtlosen Kommunikation und der Breitbandnachrichtenübertragung auf der Basis der etablierten Si-Technologie (CMOS) zu realisieren. Die Entwicklung schneller SiGe:C-HBTs basiert auf zwei grundlegenden Materialeigenschaften der SiGe:C-Schicht: (1) Die durch Legierung mit Ge reduzierte Bandlücke in der Basis des Transistors ermöglicht die Realisierung geringer Schichtwiderstände bei Beibehaltung üblicher Stromverstärkungen. (2) Durch die Dotierung mit Kohlenstoff wird der Diffusionskoeffizient von Bor um mehr als eine Größenordnung reduziert. Dadurch werden steile Dotierungsprofile mit extrem kurzen Basislaufzeiten möglich. Die erhöhte thermische Stabilität der SiGe:C-HBTs erlaubt eine modulare Integration in moderne CMOS-Technologien. Der Vortrag beschreibt die zu Grunde liegenden physikalischen Mechanismen und die komplexen technologischen Herausforderungen bei der Umsetzung der materialwissenschaftlichen Resultate in eine produktionsreife Technologie.