Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Photovoltaik

HL 32.12: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 13:15–13:30, H14

Laserunterstützes Verfahren zur Kontaktierung der Rückseite von Silizium-Solarzellen — •Andreas Grohe, Eric Schneiderlöchner, Gernot Emanuel und Ralf Preu — Fraunhofer Institut für Solare Energiesysteme

Eine Steigerung des bisherigen Wirkungsgradstandards der industriellen Solarzellenfertigung ist durch das Aufbringen von als optischer und elektrischer Spiegel dienenden Passivierungsschichten auf der Rückseite möglich. Für die Kontaktierung des durch die nichtleitende Passivierungsschicht getrennten Siliziums mit der Aluminiumschicht wurde ein Verfahren entwickelt, bei dem die Rückseite von Solarzellen durch Lasereinwirkung kontaktiert wird, da dies für die industrielle Bearbeitung photolithographisch nicht zufriedenstellend zu lösen ist.

In dem Beitrag werden die Untersuchungen zur Optimierung des bestehenden Prozesses vorgestellt. Hierzu gehören Lebensdauermessungen, um die Passivierungswirkung der durch die Laserkontakte beschädigten Passivierungsschicht zu untersuchen. Weiter werden Ergebnisse von SIMS-Messungen vorgestellt, mit denen Aufschluss darüber erhalten wird, ob durch den Laserbeschuss der aufgedampften Aluminiumschicht ein lokales Back Surface Field erzeugt werden kann, welches als zusätzlicher elektrischer Spiegel wirkt.

Abschließend werden die Ergebnisse von nach der Optimierung prozessierten Solarzellen vorgestellt und mit vor der Optimierung produzierten Zellen verglichen.