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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Photovoltaik

HL 32.2: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 10:45–11:00, H14

Bildungs- und Vernichtungsverhalten des Chrom-Bor Komplexes in multikristallinem, solar-grade Silicium — •Oliver Klettke¹, Dieter Karg¹, Gerhard Pensl¹, Max Schulz¹ und Thomas Lauinger² — ¹Lehrstuhl f. Angew. Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²RWE Solar GmbH

Kontamination mit Chrom (Cr) ist eine häufige Ursache für die Degradation von Si-Solarzellen. Unter Raumtemperaturbedingungen bildet Chrom in Bor-dotiertem Silicium den bekannten CrB-Komplex. Dieser Komplex ist ein äußerst effektives Rekombinationszentrum für Minoritäten. Simulationen der Ladungsträgerlebensdauer zeigen, dass bereits Konzentrationen von 10¹¹ bis 10¹²cm⁻³ die effektive Lebensdauer auf Werte kleiner 1µs reduzieren können. Der Paarbildungsprozess von Cr und B zum CrB-Komplex hat bei Raumtemperatur eine sehr große Zeitkonstante, so kann Cr-kontaminiertes Solarsilicium noch über einen Zeitraum von Wochen degradieren. Bei Raumtemperatur ergab sich für den Paarbildungsprozess in solar-grade Silicium (EFG) eine Zeitkonstante von 250h. Weiterhin wurde der Einfluss einer Wasserstoffbehandlung im Remote-Plasma untersucht.

Mittels DLTS-Analysen konnten in Si-Wafern noch Konzentrationen von 2·10¹¹cm⁻³ nachgewiesen werden.