Regensburg 2002 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 32: Photovoltaik

HL 32.6: Talk

Thursday, March 14, 2002, 11:45–12:00, H14

Änderungen des elektrischen Transportes von Cu(In,Ga)(S,Se)₂-Solarzellen durch künstliche Alterung — •Carsten Deibel¹, Arne Wessel¹, Vladimir Dyakonov¹, Jürgen Parisi¹, Jörg Palm² und Franz Karg² — ¹Abteilung Energie- und Halbleiterforschung, Fachbereich Physik, Universität Oldenburg, 26111 Oldenburg — ²Siemens & Shell Solar GmbH, 81739 München

Die elektrischen Änderungen, die bei auf Cu(In,Ga)(S,Se)₂ basierenden Solarzellen durch künstliche Alterung (den standardisierten ‘Damp Heat’ (DH) Test) herbeigeführt werden, sind Gegenstand unserer Untersuchungen. Ungekapselte Testzellen zeigen eine Verringerungen der Leerlaufspannung und des Füllfaktors bei anhaltender DH-Belastung. Elektrische Transportmessungen mit Admittanzspektroskopie und Transienter Störstellenspektroskopie (DLTS) weisen den Einfluß von Grenzflächendefektzuständen und tiefen Störstellen nach. Die Aktivierungsenergie und der Einfangquerschnitt der Zustände an der Absorber/Puffer-Grenzfläche folgen der Meyer-Neldel Relation. Im Absorber erhöht sich die Konzentration an tiefen Akzeptor-artigen Defekten. Zudem entstehen flache Donator-artige Zustände. Der Einfluß der verschiedenen Verlustmechanismen wird anhand von eindimensionalen Transportsimulationen (SCAPS) verdeutlicht.