Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Photovoltaik

HL 32.7: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 12:00–12:15, H14

Charakterisierung siebgedruckter ohmscher Al und AgAl-Kontakte auf p-dotiertem Silizium — •Jochen Rentsch und Dominik M. Huljic — heidenhofstr. 2, 79110 Freiburg

Innovative Solarzellen-Technologien erfordern eine Kontaktierung der p-dotierten Basis und des Emitters auf einer Seite. Die erheblich reduzierte Kontaktfläche sowie der Einsatz industrieller Kontaktierungsverfahren wie dem Siebdruck stellen erhöhte Anforderungen an die Basiskontaktierung. REM-Untersuchungen zeigen die ausgeprägt poröse Struktur der Kontakte. Die spezifischen Widerstände von gedruckten Al-Leiterbahnen liegen mit ρ > 1.5x10-7 Ωm deutlich über den Werten für siebgedruckte Ag-Kontakte. Eine Mischung aus Silber und Aluminium (AgAl-Pasten) führt nicht zu einer signifikanten Reduzierung. Außerdem weisen AgAl-Pasten im Vergleich zu Al-Pasten einen um den Faktor 6 höheren spezifischen Kontaktwiderstand auf. Dies wird auf die Ausbildung von Punktkontakten an der AgAl-Si Grenzfläche zurückgeführt, die durch die statistisch in der Ag-Matrix verteilten Aluminiumpartikel entstehen.