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HL: Halbleiterphysik
HL 33: SiC
HL 33.10: Talk
Thursday, March 14, 2002, 12:45–13:00, H15
Experimentelle Bestimmung von Phononeigenvektoren von SiC durch Ramanspektroskopie — •Bernhard Herzog1, Roland Püsche1, Stefan Rohmfeld1, Martin Hundhausen1, Lothar Ley1, Kurt Semmelroth2 und Gerhard Pensl2 — 1Institut für Technische Physik, Universität Erlangen, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen — 2Institut fr Angewandte Physik, Universität Erlangen, Staudtstr. 7, 91058 Erlangen
Die Frequenzen der Phononen in Siliziumkarbid (SiC) hängen von den Massen der atomaren Komponenten Silizium und Kohlenstoff ab. Mit zunehmender Atommasse ergibt sich eine Verschiebung der Phononen zu niedrigeren Frequenzen. Bei Änderung der Atommasse nur einer Komponente ist die Frequenzverschiebung zum Quadrat des Phononeneigenvektors dieser Komponente proportional. Wir haben die Verschiebung der Raman-aktiven Moden, die in Richtung der c-Achse propagieren, für die Polytypen 6H-, 4H-, und 15R von SiC bestimmt, welche zu 85% mit dem Isotop 13C angereichert wurden und berechnen hieraus den Betrag des Eigenvektors des Kohlenstoffuntergitters. Die Messungen erlauben eine Rekonstruktion der Eigenvektor-Dispersionskurven von kubischem SiC in der L-Richtung der Brillouin-zone. Wir vergleichen diese Kurven mit Resultaten von Simulationen im Rahmen des Modells linearer Ketten und geben Kraftkonstanten zwischen Silizium- und Kohlenstoff-Ebenen an, die wir mit Angaben aus der Literatur vergleichen.