Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 33: SiC

HL 33.2: Talk

Thursday, March 14, 2002, 10:45–11:00, H15

Aktivierung implantierter Phosphor-Ionen in (0001)-/(11-20)-orientierten 4H-SiC Wafern — •F. Schmid¹, M. Laube¹, G. Pensl¹, G. Wagner² und M. Maier³ — ¹Lehrstuhl für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Institut für Kristallzüchtung, Berlin — ³Fraunhofer Institut Angewandte Festkörperphysik, Freiburg

Durch vergleichende Hall-Effekt Messungen an Phosphor (P)-implantierten, (0001)- (Si-Fläche) bzw (11-20)-orientierten (a-Fläche) p-Typ 4H-SiC Epischichten wurde die Bildung von P-Donatoren für Ausheiltemperaturen im Bereich von 1500^∘C bis 1700^∘C untersucht. Durch Mehrfachimplantation wurden 2 Probenserien mit unterschiedlicher P-Konzentration hergestellt (Profil P1: [P]=2·10¹⁸ cm⁻³, Profil P2: [P]=2.4·10²⁰ cm⁻³). Es zeigt sich, dass die elektrische Aktivierung implantierter P-Ionen unabhängig von der Orientierung der Epischichten ist. Das Verhältnis der Hall-Beweglichkeit µ_e(a-Fläche)/µ_e(Si-Fläche) ist gleich 1,2 bei T=RT und gleich 8:1 bei T=100K. Als Ursache hierfür wird die Anisotropie der Beweglichkeit senkrecht und parallel zur c-Achse und die unterschiedliche Konzentration Implantations-induzierter, Akzeptor-ähnlicher Defektzentren angesehen, die bei tiefen Temperaturen ionisiert sind und als Streuzentren die Elektronenbeweglichkeit bestimmen.