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HL: Halbleiterphysik

HL 33: SiC

HL 33.5: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 11:30–11:45, H15

Untersuchungen zum Ausheilverhalten von Punktdefekten in elektronenbestrahltem 6H-SiC mit optisch detektierter magnetischer Resonanz — •Th. Lingner, F. Caudepon, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth — Fachbereich 6 Experimentalphysik, Universität Paderborn, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn

Durch Bestrahlung von SiC mit hochenergetischen Teilchen, beispielsweise während der Ionenimplantation, entstehen zahlreiche verschiedenartige Punktdefekte, die bei bestimmten Ausheiltemperaturen verschwinden oder sich in andere Formen von Defekten umwandeln. Letztlich entstehen einige äußerst stabile Defekte von bisher unidentifizierter mikroskopischer Struktur, die aufgrund ihrer elektrischen und optischen Aktivität technologisch bedeutsam sind.

Um den Entstehungsprozeß dieser Defekte zu verfolgen, wurden 6H-SiC Proben am Dynamitron-Beschleuniger der Universität Stuttgart mit Elektronen der Energie 2.5 MeV bestrahlt und anschließend bei verschiedenen Temperaturen für jeweils 20 Minuten ausgeheilt. Die Entwicklung der Defekte wurde mit Elektronen-paramagnetischer Resonanz (EPR), Photolumineszenz (PL), dem magnetischen Zirkulardichroismus der Absorption (MCDA) und optisch detektierter magnetischer Resonanz (PL-EPR und MCDA-EPR) verfolgt. Wir präsentieren erste Ergebnisse dieser Untersuchungen.