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HL: Halbleiterphysik

HL 33: SiC

HL 33.6: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 11:45–12:00, H15

Bestimmung der Ladungstraegerkonzentration in n- und p- leitendem SiC mittels Absorptionsmessungen — •R. Weingaertner, A. Albrecht, M. Bickermann, Z. Herro, U. Kuenecke, S.A. Sakwe, T.L. Straubinger, P.J. Wellmanna und A. Winnacker — Institut fuer Werkstoffwissenschaften 6, Friedrich-Alexander-Universitaet-Erlangen-Nuernberg, Martensstr. 7, 91058 Erlangen

Wir stellen eine optische Methode vor, basierend auf Absorptionsmessungen im sichtbaren Spektralbereich, um die Ladungstraegerkonzentration sowie die Kompensation in SiC zu bestimmen. Es wurden die SiC-Polytypen 4H, 6H und 15R dotiert mit Stickstoff, Bor und Aluminium untersucht. Alle Polytypen zeigen im Sichtbaren typische Absorptionsbanden, die signifikant von der Dotierstoffkonzentration abhaengen und zur Erstellung von Eichkurven verwendet wurden. Als Absorptionsbanden werden die Band-Band-Absorption, die freie Ladungstraegerabsorption, sowie eine Absorptionsbande im "Below Band Gap"-Bereich untersucht. Für Letztere werden Indizien eines Intraleitungsbanduebergangs diskutiert. Umfangreiche temperaturabhaengige Hallmessungen wurden durchgefuehrt, Ladungstraegerkonzentration und Kompensation bestimmt und mit den Absorptionsmessungen verglichen. TTPL-Messungen von gebundenen und freien Exzitonen sowie des DAP-Uebergangs bestaetigen unsere Untersuchungen. Es wird mittels Absorptionsmapping demonstriert, wie sich die Ladungstraegerkonzentration einer SiC-Scheibe abbilden laesst.

R. Weingaertner, P. J. Wellmann, M. Bickermann, D. Hofmann, T. L. Straubinger, and A. Winnacker, Appl. Phys. Lett., vol.79 (2001)