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HL: Halbleiterphysik
HL 33: SiC
HL 33.8: Talk
Thursday, March 14, 2002, 12:15–12:30, H15
Das Verhalten von implantierten Seltenen Erden in 3C-, 4H- und 6H-SiC — •U. Vetter1, J. Zenneck1, H. Hofsäss1, M. Dietrich2 und ISOLDE Collaboration2 — 1II. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen — 2CERN, 1211 Geneve 23, Switzerland
Zur Untersuchung des Gitterplatzes von Seltenen Erden in SiC wurden radioaktive Sonden am Online-Isotopenseparator ISOLDE am CERN in 3C-, 4H-, und 6H-SiC mit einer Energie von 60 keV und Dosen zwischen 1 und 5·1013cm−2 implantiert. Die Gitterplatzbestimmung erfolgte mit der Methode des Emissionschanneling anhand der Spektroskopie von Konversionelektronen und dem Vergleich mit simulierten Spektren. Im Falle des 3C- und 4H-SiC wurde hierzu 167Tm implantiert und die sich dem Zerfall von 167Tm (T1/2=9,25 Tage) anschliessenden Konversionselektronen von 167Er zur Bestimmung des Gitterplatzes herangezogen. Im Falle des 6H-SiC wurden 169Yb und 149Gd implantiert. Die Messungen erfolgten hier an den Konversionselektronen des 169Tm nach Zerfall des 169Yb(T1/2 = 32,0 Tage) bzw. des 149Eu nach Zerfall von 149Gd (T1/2 = 9,28 Tage). Für verschiedene Anlasstemperaturen wurden wiederholt Emissionschannelingspektren aufgenommen. An der mit 149Dy implantierten 6H-SiC - Probe wurde am Zerfall 149Eu - 149Sm (T1/2=93,1 Tage) Mössbauerspektroskopie durchgeführt. Hierzu wurde ein Absorber aus Sm2O3 (T=2) verwendet. Eine weitere Charakterisierung der implantierten Proben erfolgte durch Photo- und Kathodolumineszenzspektroskopie im Temperaturintervall 11K -293 K.