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HL: Halbleiterphysik

HL 33: SiC

HL 33.8: Vortrag

Donnerstag, 14. März 2002, 12:15–12:30, H15

Das Verhalten von implantierten Seltenen Erden in 3C-, 4H- und 6H-SiC — •U. Vetter¹, J. Zenneck¹, H. Hofsäss¹, M. Dietrich² und ISOLDE Collaboration² — ¹II. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen — ²CERN, 1211 Geneve 23, Switzerland

Zur Untersuchung des Gitterplatzes von Seltenen Erden in SiC wurden radioaktive Sonden am Online-Isotopenseparator ISOLDE am CERN in 3C-, 4H-, und 6H-SiC mit einer Energie von 60 keV und Dosen zwischen 1 und 5·10¹³cm⁻² implantiert. Die Gitterplatzbestimmung erfolgte mit der Methode des Emissionschanneling anhand der Spektroskopie von Konversionelektronen und dem Vergleich mit simulierten Spektren. Im Falle des 3C- und 4H-SiC wurde hierzu ¹⁶⁷Tm implantiert und die sich dem Zerfall von ¹⁶⁷Tm (T_1/2=9,25 Tage) anschliessenden Konversionselektronen von ¹⁶⁷Er zur Bestimmung des Gitterplatzes herangezogen. Im Falle des 6H-SiC wurden ¹⁶⁹Yb und ¹⁴⁹Gd implantiert. Die Messungen erfolgten hier an den Konversionselektronen des ¹⁶⁹Tm nach Zerfall des ¹⁶⁹Yb(T_1/2 = 32,0 Tage) bzw. des ¹⁴⁹Eu nach Zerfall von ¹⁴⁹Gd (T_1/2 = 9,28 Tage). Für verschiedene Anlasstemperaturen wurden wiederholt Emissionschannelingspektren aufgenommen. An der mit ¹⁴⁹Dy implantierten 6H-SiC - Probe wurde am Zerfall ¹⁴⁹Eu - ¹⁴⁹Sm (T_1/2=93,1 Tage) Mössbauerspektroskopie durchgeführt. Hierzu wurde ein Absorber aus Sm₂O₃ (T=2) verwendet. Eine weitere Charakterisierung der implantierten Proben erfolgte durch Photo- und Kathodolumineszenzspektroskopie im Temperaturintervall 11K -293 K.