HL 33: SiC
Donnerstag, 14. März 2002, 10:30–13:00, H15
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10:30 |
HL 33.1 |
Hall Effekt Untersuchungen an N+-,P+-implantiertem bzw. (N++P+)-coimplantiertem 4H-SiC — •M. Laube, F. Schmid, G. Pensl und G. Wagner
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10:45 |
HL 33.2 |
Aktivierung implantierter Phosphor-Ionen in (0001)-/(11-20)-orientierten 4H-SiC Wafern — •F. Schmid, M. Laube, G. Pensl, G. Wagner und M. Maier
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11:00 |
HL 33.3 |
Erbium-implanted 4H and 6H silicon carbide — •Sergey A. Reshanov, Oliver Klettke, Gerhard Pensl, and W.J. Choyke
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11:15 |
HL 33.4 |
Traps at the interface of 3C-SiC MOS capacitors — •Florin Ciobanu, Gerhard Pensl, and Adolf Schöner
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11:30 |
HL 33.5 |
Untersuchungen zum Ausheilverhalten von Punktdefekten in elektronenbestrahltem 6H-SiC mit optisch detektierter magnetischer Resonanz — •Th. Lingner, F. Caudepon, S. Greulich-Weber und J.-M. Spaeth
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11:45 |
HL 33.6 |
Bestimmung der Ladungstraegerkonzentration in n- und p- leitendem SiC mittels Absorptionsmessungen — •R. Weingaertner, A. Albrecht, M. Bickermann, Z. Herro, U. Kuenecke, S.A. Sakwe, T.L. Straubinger, P.J. Wellmanna und A. Winnacker
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12:00 |
HL 33.7 |
Bedeutung und Signatur von C-Interstitials und ihrer Komplexe in SiC — •Alexander Mattausch, Michel Bockstedte und Oleg Pankratov
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12:15 |
HL 33.8 |
Das Verhalten von implantierten Seltenen Erden in 3C-, 4H- und 6H-SiC — •U. Vetter, J. Zenneck, H. Hofsäss, M. Dietrich und ISOLDE Collaboration
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12:30 |
HL 33.9 |
Identifikation von intrinsischen Defektzentren in SiC — •M. Heid, M. Bockstedte und O. Pankratov
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12:45 |
HL 33.10 |
Experimentelle Bestimmung von Phononeigenvektoren von SiC durch Ramanspektroskopie — •Bernhard Herzog, Roland Püsche, Stefan Rohmfeld, Martin Hundhausen, Lothar Ley, Kurt Semmelroth und Gerhard Pensl
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