 |
16:30 |
HL 38.1 |
Bestimmung der Energieniveaus von Ni-korrelierten Defekten in synthetischem Diamant — •R.N. Pereira, W. Gehlhoff, N.A. Sobolev, A.J. Neves und D. Bimberg
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.2 |
Elektronische Transportuntersuchungen an Si/Ge/Si- Quantenpunkt-Heterostrukturen — •K.-M. Haendel, R. J. Haug, U. Denker, O. G. Schmidt und A.G.M. Jansen
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.3 |
Evolution of hydrogen induced platelets in silicon — •E.V. Lavrov and J. Weber
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.4 |
Ab-initio Untersuchung der Imma-Phase von Silizium — •Katalin Gaál-Nagy und Dieter Strauch
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.5 |
Einfluss des Niedrigtemperaturwachstums auf die Morphologie virtueller SiGe Substrate — •Christian Hofer, Gregor Hlawacek, Christian Teichert, Klara Lyutovich, Matthias Bauer und Erich Kasper
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.6 |
Untersuchung dünner GeSi-Pseudosubstrate auf Silizium — •T. Wietler, N. Hoffmann und K.R. Hofmann
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.7 |
Properties of cubic and hexagonal polytypes of group-IV elements in equilibrium and under pressure — •Christophe Raffy, Jürgen Furthmüller, and Friedhelm Bechstedt
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.8 |
Ab initio study of harmonic and anharmonic cumulants of elemental semiconductors — •Gerd Birner, Gernot Deinzer, and Dieter Strauch
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.9 |
Ab initio study of anharmonic properties in semiconductors: The Grüneisen tensor — •Gerd Birner, Gernot Deinzer, Pasquale Pavone, and Dieter Strauch
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.10 |
Defects in electron-irradiated 6H-SiC: An isochronous annealing Study with Photoluminescence and MCDA — •F. Caudepon, Th. Lingner, S. Greulich-Weber, and J.-M. Spaeth
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.11 |
Elektrische Mikrocharakterisierung von GaN-Schichten mittels Rastersondenverfahren — •Andre Krtschil, Armin Dadgar und Alois Krost
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.12 |
Einfluss von Niedertemperatur- und SixNy-Zwischenschichten auf die kristallinen und elektrischen Eigenschaften von GaN — •Antje Reiher, J. Bläsing, A. Dadgar, M. Poschenrieder und A. Krost
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.13 |
Korrelationsuntersuchnungen von Schichtparametern und optischen Eigenschaften von (InGaN/GaN) und (AlGaN/GaN)-Multiquantumwell-Strukturen mit Hilfe von hochauflösenden Röntgenstruktur-Untersuchungen — •Fabian Schulze, J. Bläsing, A. Dadgar, M. Poschenrieder, J. Christen, A. Krost und M. Heuken
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.14 |
In-Verteilung beim MOVPE-Wachstum von GaInN-Quantenfilmen — •E. Hahn, A. Rosenauer, D. Gerthsen, J. Off und F. Scholz
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.15 |
Quenching-Effekte in GaN- und AlGaN-Schichten — •Eike Schrenk, Hartmut Witte, Andre Krtschil, Alois Krost und Jürgen Christen
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.16 |
Untersuchungen von Ladungsträgerrekombinationszeiten an GaN/InGaN/AlGaN-Heterostrukturen — •C. Netzel, R. Doloca, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.17 |
Herstellung und Charakterisierung von GaInN-Leuchtdioden — •T. Stephan, E. Geerlings, M. Kunzer, C. Manz, P. Schlotter, S. Müller, H. Obloh, K. Köhler und J. Wagner
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.18 |
Temperaturabhängigkeit des Hyperfeinfeldes für Indium in GaN — •Florian Ruske, Katharina Lorenz und Reiner Vianden
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.19 |
Optische Nahfeldmikroskopie an GaInN/GaN-Heterostrukturen — •F. Hitzel, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.20 |
Molekularstrahlepitaxie von InGaN-Quantenpunkten auf MOVPE-GaN-Pseudosubstraten — •Lüder A. Kahrs, Carsten Kruse, Stephan Figge, Tim Böttcher und Detlef Hommel
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.21 |
Ellipsometrische Charakterisierung der GaN-Oberflächenstruktur unter UHV- und Epitaxienahen Bedingungen — •N. Wollschläger, C. Cobet, T. Schmidtling, N. Esser und W. Richter
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.22 |
Light emission from quantum-dot-like structures in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures and quantum wells — •Olaf Husberg, Alexandre Khartchenko, and Klaus Lischka
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.23 |
Fröhlich mode in GaN columnar nanostructures — •G. Irmer, J. Monecke, I.M. Tiginyanu, A. Sarua, S.M. Hubbard, D. Pavlidis, and V. Valiaev
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.24 |
Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an homoepitaktischen GaN-Schichten bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Rolf Sauer und Klaus Thonke
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.25 |
Gain-Spektroskopie an GaN/InGaN-Mehrfachquantenfilmen (MQW) und deren Abhängigkeit von experimentellen Parametern — •M. Spieker, S. Heppel, J. Off, F. Scholz und A. Hangleiter
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.26 |
Temperaturabhängige Kathodolumineszenz von hexagonalen AlxGa1−xN-Schichten auf verschiedenen Substraten — •N. Teofilov, L. Kirste, A. Rizzi, D. Ebling, K. Benz, K. Thonke und R. Sauer
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.27 |
Temperaturabhängige Kathodolumineszenz von hexagonalen AlN und AlxGa1−xN-Schichten auf verschiedenen Substraten — •N. Teofilov, L. Kirste, M. Kočan, A. Rizzi, H. Lüth, D. Ebling, K. Benz, K. Thonke und R. Sauer
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.28 |
Angle-Integrated FROG for Characterisation of Ultrashort Laser Pulses — •Birger Seifert and Heinrich Stolz
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.29 |
Optische und strukturelle Eigenschaften von InGaN/GaN Multiquantumwell-Leuchtdioden auf Silizium-Substrat — •Karsten Fehse, Margarethe Poschenrieder, Fabian Schulze, Jürgen Bläsing, Armin Dadgar, Anette Diez, Jürgen Christen und Alois Krost
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.30 |
Ätzen von GaAs mit gepulstem Ionenstrahl — •Jens Dienelt, Klaus Zimmer und Bernd Rauschenbach
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.31 |
MOVPE von BxGa1−xAs- und BxGa1−x−yInyAs-Mischkristallschichten auf ( 001) GaAs — •Volker Gottschalch, Gunnar Leibiger und Gabriele Benndorf
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.32 |
Optische Kapazitätsspektroskopie am EL2-Zentrum in GaAs — •R.-R. Ludwig, J. Bollmann und J. Weber
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.33 |
Kritische Punkte und Phononen in BxGa1−xAs und GaNyAs1−y: ein Vergleich — •Gunnar Leibiger, Volker Gottschalch, Mathias Schubert und Volker Riede
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.34 |
Quantifizierung der Bildung von Leerstellen auf (110)-Oberflächen von III-V-Halbleitern — •U. Semmler, Ph. Ebert und K. Urban
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.35 |
Schnelle, spektrale Ellipsometrie an Halbleiter-Heterostrukturen — •A. Wirsig, K. Haberland, T. Schmidtling, T. Zettler und W. Richter
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.36 |
Infrarot-dielektrische Funktion und Phononenmoden in spontan geordnetem (AlxGa1−x)0.52In0.48P — •Tino Hofmann, Mathias Schubert und Volker Gottschalch
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.37 |
Ortsaufgelöste IU-Spektroskopie an SiGa-Donatoren in der GaAs (110)-Spaltfläche bei 8K — •K. Sauthoff, M. Wenderoth, J.K. Garleff, T.C.G. Reusch und R.G. Ulbrich
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.38 |
Optische in-situ Kontrolle des MOCVD-Wachstums von Antimon-haltigen III/V-Halbleiterschichten — •Kristof Möller, Zadig Kollonitsch, Thomas Hannappel und Frank Willig
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.39 |
In-situ Ramanspektroskopie an III-V Verbindungen in der MOVPE — •Eugen Speiser, T. Schmidtling, K. Fleischer und W. Richter
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.40 |
Photolumineszens-Spektroskopie an "Strained Layer"-Photokathoden — •Konrad Winkler, Dr. Kurt Aulenbacher und Dr. Valerie Tioukine
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.41 |
Röntgenfeinstrukturuntersuchungen an MOCVD-ZnO(/GaN)-Schichten auf Saphir- und Si(111)-Substraten — •Marco Adam, J. Bläsing, N. Oleinik, A. Dadgar, M. Poschenrieder und A. Krost
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.42 |
Dielektrische Funktion im Bereich der Absorptionskante von ZnO und ZnO-MgO- und ZnO-Ga2O3-Mischkristallen untersucht mittels spektroskopischer Ellipsometrie — •Rüdiger Schmidt, Carsten Bundesmann, Alexander Kasic, Evgeni Kaidashev, Bernd Rheinländer, Michael Lorenz, Mathias Schubert und Marius Grundmann
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.43 |
Lumineszenzdynamik von CdS/ZnSe Einzelquantenfilmen — •Heiko Priller, Martin Schmidt, Benedicte Dal Don, Matthias Dremel, Michael Grün, Heinz Kalt und Claus Klingshirn
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.44 |
EPR investigation on ZnO nanocrystals — •Huijuan Zhou, A. Hofstaetter, D. M. Hofmann, B. K. Meyer, and A. Rodina
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.45 |
Thermische Stabilität von Defekten in ZnO Einkristallen — •D R Pfisterer, H Alvez, H Zhou, A Zeuner, A Hofstaetter und B K Meyer
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.46 |
ZnSe−(Zn,Cd)Se semiconductor microcavities with dielectric Bragg mirrors of ZnS and YF3 — •Alexander Pawlis, Martin Bartels, Alexandre Khartchenko, Olaf Husberg, Detlef Schikora, and Klaus Lischka
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.47 |
ZnSe−(Zn,Cd)Se semiconductor microcavities with dielectric Bragg mirrors of ZnS and YF3 — •Alexander Pawlis, Martin Bartels, Alexandre Khartchenko, Olaf Husberg, Detlef Schikora, and Klaus Lischka
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.48 |
Electronic and structural properties of doped ZnO and (ZnMgCd)O thin films prepared by PLD — •Michael Lorenz, Evgeni M. Kaidashev, Holger v. Wenckstern, Carsten Bundesmann, Volker Riede, Joerg Lenzner, and Marius Grundmann
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.49 |
Bond lengths in Cd1−xZnxTe beyond linear laws — •Vasil Koteski, Heinz Haas, Nenad Ivanovic, Elizabeta Holub-Krappe, and Heinz-Eberhard Mahnke
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.50 |
Metall-organische Gasphasenepitaxie und Charakterisierung von ZnO-Schichten für optoelektronische Anwendungen — •Th. Gruber, Ch. Kirchner, K. Thonke, R. Sauer und A. Waag
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.51 |
CVD von undotiertem ZnO mit verschiedenen Sauerstoffvorstufen — •Björn Spruck, A. Zeuner, H. Alvez, D. Pfisterer, D.M. Hofmann und B.K. Meyer
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.52 |
Ionenimplantation in ZnO — •Frank Reuss, Christoph Kirchner, Nataliya Deyneka, Johannes Eisenmenger, Paul Ziemann, Klaus Thonke, Rolf Sauer und Andreas Waag
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.53 |
Phonon-modes and free-carrier-properties of Al- and Ga-doped ZnO and (ZnCdMg)O thin films — •N. Ashkenov, C. Bundesmann, A. Kasic, B. Mbenkum, M. Schubert, M. Lorenz, E. M. Kaidashev, and M. Grundmann
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.54 |
Kontrolliertes Wachstum von ZnO-Nanosäulen mittels goldbeladener Diblock-Copolymere — •M. Haupt, A. Ladenburger, R. Glass, H. Rauscher, S. Riethmüller, J. Spatz, M. Möller, R. Sauer und K. Thonke
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.55 |
Nondestructive analysis of misfit dislocation densities in II-VI heterostructures by diffuse x-ray scattering — •Gabriela Alexe, Heidrun Heinke, Matthias Klude, Vladimir M. Kaganer, and Detlef Hommel
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.56 |
ZnxCd1−xO-Nanostrukturen hergestellt mittels Polymer-Masken — •A. Ladenburger, M. Haupt, H. Xu, H. Rauscher, S. Riethmüller, W. Gödel, M. Möller, R. Sauer und K. Thonke
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.57 |
Bonding Mechanisms of Silicon Wafers Revealed by Multiple Internal Transmission Infrared Measurements — •Cameliu Himcinschi, Matthias Bartzsch, Marion Friedrich, Karla Hiller, Thomas Gessner, and Dietrich R.T. Zahn
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.58 |
Sulfidisches photochemisches Ätzen - eine Methode zum Schreiben feiner definierter Strukturen auf III-V Halbleiteroberflächen — •Thorsten Simonsmeier und Wolfgang Bauhofer
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.59 |
Photodesorption of small molecules adsorbed on ultrathin Ag-films — •Olaf Weiße, Claudia Wesenberg, and Eckart Hasselbrink
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.60 |
Herstellung eines Gassensors aus elektrisch leitfähigem Polymer — •Jens Reemts, Jürgen Parisi, Derck Schlettwein und Die ter Wöhrle
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.61 |
Inverse Photoemission Measurements on Phthalocyanines Grown on S-passivated GaAs — •Mihaela Gorgoi, Thorsten U. Kampen, and Dietrich R. T. Zahn
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.62 |
Electronic properties of oxygen exposed 3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic dianhydride surfaces — •Gianina Nicoleta Gavrila, Thorsten Ü Kampen, and Dietrich R.T. Zahn
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.63 |
Spin-orbit coupling and lateral superlattices — •Michael Langenbuch, Michael Suhrke, and Ulrich Rössler
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.64 |
Spin splitting and spin relaxation time in semiconductor heterostructures — •Josef Kainz, Ulrich Rössler, and Roland Winkler
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.65 |
Schwache Lokalisierung und Antilokalisierung in p-Typ InAs Inversionsschichten — •Christopher Schierholz, Reinhard Kürsten, Guido Meier, Toru Matsuyama und Ulrich Merkt
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.66 |
Charakterisierung von Ferromagnet-Halbleiter-Nanostrukturen auf Silizium-Basis — •T. Last, S. Hacia, S.F. Fischer, M.-K. Sostarich und U. Kunze
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.67 |
Gesputterte Permalloy-Schichten und Mikrostrukturen für spinelektronische Bauelemente — •Christian Pels, Marcus Steiner, Miriam Halverscheid, Toru Matsuyama, Guido Meier und Ulrich Merkt
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.68 |
Ferromagnetisches GaMnNAs — •R. Kling, M. Oettinger, S. Frank, W. Schoch, R. Sauer, A. Waag, W. Kipferl und G. Bayreuther
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.69 |
Monopolare Spinorientierung in Quantentrogstrukturen und deren Anwendung zur Bestimmung von Spinrelaxationszeiten — •S. D. Ganichev, S. N. Danilov, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl, V. V. Bel’kov und E. L. Ivchenko
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.70 |
Analysis of local electrical properties of grain boundaries in Si by electron-beam-induced-current techniques — •Stanislav Pandelov, Winfried Seifert, Martin Kittler, and Jürgen Reif
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.71 |
PHOTOLUMINESCENCE AND EBIC RECOMBINATION BEHAVIOR OF EXTENDED DEFECTS IN SOLAR GRADE SILICON — •Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, Martin Kittler, and Jürgen Reif
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.72 |
PHOTOLUMINESCENCE AND EBIC RECOMBINATION BEHAVIOR OF EXTENDED DEFECTS IN SOLAR GRADE SILICON — •Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, Martin Kittler, and Jürgen Reif
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.73 |
PHOTOLUMINESCENCE AND EBIC RECOMBINATION BEHAVIOR OF EXTENDED DEFECTS IN SOLAR GRADE SILICON — •Tzanimir Arguirov, Winfried Seifert, Martin Kittler, and Jürgen Reif
|
|
|
|
16:30 |
HL 38.74 |
Laserinduzierte Partikelentfernung von Silizium-Wafern — •Mario Mosbacher, Christof Bartels, Micha Bertsch, Oliver Dubbers, Johannes Graf, Florian Lang, Michael Olapinski, Hans-Joachim Münzer und Paul Leiderer
|
|
|
