Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.11: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Elektrische Mikrocharakterisierung von GaN-Schichten mittels Rastersondenverfahren — •Andre Krtschil, Armin Dadgar und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39016 Magdeburg

Am Beispiel von gasphasenepitaktisch gewachsenen GaN-Schichten auf Saphir- und Silizium-Substraten wird gezeigt, wie sich strukturelle Inhomogenitäten auf die elektrischen Schichteigenschaften im Submikrometerbereich auswirken und mit welchen Verfahren diese charakterisiert werden können. Dazu werden die Schichten mit einem Rasterkraftmikroskop auf ihre topographischen Eigenschaften hin untersucht. Gleichzeitig werden über die Kraftwirkungen auf eine leitfähige Messspitze elektrische Kenngrößen detektiert. Auf diese Weise lassen sich Aussagen über die laterale Verteilung des Oberflächenpotentials (Surface potential - SP) oder der Ladungsträgerkonzentration (Scanning capacitance microscopy - SCM) ebenso wie über die Ausbildung von angelegten elektrischen Feldern (Electrostatic force microscopy - EFM) in direkter Korrelation zu den topographischen Eigenschaften der Schichten treffen. Mit Hilfe dieser drei Rastersondenverfahren SP, SCM und EFM wird für GaN-Proben verschiedenen Leitungstyps diskutiert, welchen Einfluß strukturelle Fehler wie z.B. Pinholes und Cracks besitzen. Weiterhin wird erläutert, wie sich Wachstumsstufen aufgrund des Epitaxieprozesses auf die elektrische Homogenität der Schichten auswirken. Insgesamt sollen diese Untersuchungen dazu beitragen, die Wirkungsweise solcher strukturellen Inhomogenitäten besser zu verstehen.