Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.13: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

Korrelationsuntersuchnungen von Schichtparametern und optischen Eigenschaften von (InGaN/GaN) und (AlGaN/GaN)-Multiquantumwell-Strukturen mit Hilfe von hochauflösenden Röntgenstruktur-Untersuchungen — •Fabian Schulze¹, J. Bläsing¹, A. Dadgar¹, M. Poschenrieder¹, J. Christen¹, A. Krost¹ und M. Heuken² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg,PF 4120, D-39016 Magdeburg — ²Aixtron AG, Kackertstrasse 15-17, D-52072 Aachen

Mittels hochauflösender Röntgenbeugung (HRXRD) können durch Ausmessen der reziproken Gitterpunkte Aussagen zur Struktur von epitaktisch gewachsenen InGaN/GaN-und AlGaN/GaN-Schichtsystemen auf Saphir- und Siliziumsubstraten getroffen werden. Dabei liefern Messungen (RSM) an symmetrischen und asymmetrischen Gitterpunkten sowie 2:1-scans Informationen über Stoffkonzentrationen, Verspannungen und Schichtdicken und über Korrelationen der Störungen innerhalb eines Schichtsystems. Sie werden ergänzt durch Röntgenreflexionsmessungen (XRR), welche Aussagen über die Oberflächen- und Interfacerauhigkeiten und Schichtdickenverhältnisse erlauben. Die Qualität (Halbwertsbreite, Intensität, Wellenlänge) von Photolumineszenz-Emissionen von diesen Strukturen ist stark von den obigen Schichtparametern abhängig. Insbesondere wurde der Zusammenhang der Emissionswellenlängen mit den Schichtdicken und den Indium- bzw. Aluminium-Gehalten untersucht, welche ein Variieren des Pl-Spektrums über den gesamten sichtbaren Bereich ermöglichen. Weiterhin wurden Korrelationen zwischen Schichtinhomogenitäten und Emissionshalbwertsbreiten aufgezeigt.