Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.14: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

In-Verteilung beim MOVPE-Wachstum von GaInN-Quantenfilmen — •E. Hahn¹, A. Rosenauer¹, D. Gerthsen¹, J. Off² und F. Scholz² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe — ²4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, D-70550 Stuttgart

Bei optischen Halbleiterbauelementen aus GaInN/GaN-Heterostrukturen haben die In-Konzentration und die Schichtdicke der InGaN-Quantenfilme einen signifikanten Einfluss auf die Lumineszenz, da sie die Lage der quantisierten Zustände und die Verschiebung der Lumineszenzwellenlänge durch den Stark-Effekt bestimmen. Mittels hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie wurde die chemische Zusammensetzung von MOVPE gewachsenen GaInN-Schichten mit einer Auflösung auf atomarer Skala ermittelt, und somit auch die In-Verteilung in Wachstumsrichtung (Schichtprofil) sowie die Schichtdicken bestimmt. Die Schichtprofile zeigen, daß die GaInN/GaN-Grenzflächen chemisch nicht abrupt sind, sondern graduelle Übergänge zwischen GaInN und GaN aufweisen. Daraus resultiert eine Verbreiterung der GaInN-Schichten im Vergleich mit den nominellen Werten. In diesem Beitrag werden Mechanismen wie Segregation von Indium und Interdiffusion von Indium und Gallium diskutiert, die für die graduellen Anstiege/Abnahmen der In-Konzentration in den Schichtprofilen verantwortlich sein können.