Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.15: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Quenching-Effekte in GaN- und AlGaN-Schichten — •Eike Schrenk, Hartmut Witte, Andre Krtschil, Alois Krost und Jürgen Christen — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, PF4120, 39016 Magdeburg

In mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) auf Saphir abgeschiedenen GaN-Schichten und GaN/AlGaN Strukturen wurden Quenching-Effekte mit Hilfe der Methoden Thermisch Stimulierte Ströme (TSC), temperaturabhängige (TPC) und persistente Photoleitung (PPC), Optische Admittanzspektroskopie (OAS) und Photohalleffekt (PHE) durch optische Zusatzeinstrahlung mit Energien unterhalb des Bandabstandes untersucht. In allen OAS und PC-Spektren konnten Quenching-Effekte in den optischen Übergängen um (3.4 - 3.25) eV und um (3.25 - 2.7) eV nachgewiesen werden. Entsprechende thermische Emissionen mit Aktivierungsenergien in den Bereichen (80 - 150) meV und (300 - 400) meV in der TSC werden ebenfalls bei einer zusätzlichen optischen Anregung mit Energien unterhalb der Bandlücke von GaN unterdrückt. Besonders abhängig von den Anregungsbedingungen ist die letztere Emission. Die TPC- und PHE-Untersuchungen zeigen, dass diese Effekte mit komplexen Umladungsprozessen speziell dieses Traps verbunden sind. In den AlGaN / GaN -Strukturen konnte zusätzlich nachgewiesen werden, dass mit steigendem Al-Gehalt die Quenching-Vorgänge verringert werden.