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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.16: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Untersuchungen von Ladungsträgerrekombinationszeiten an GaN/InGaN/AlGaN-Heterostrukturen — •C. Netzel, R. Doloca, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter — Institut für Technische Physik, 38106 Braunschweig

Für viele Anwendungen der Nitridhalbleiter ist das Verständnis der auftretenden Rekombinationsmechanismen und Rekombinationszeiten von Bedeutung. Mit Hilfe zeitaufgelöster Photolumineszenzmessungen bis in den Pikosekundenbereich und bei Temperaturen zwischen 5K und 300K wurden Rekombinationszeiten optisch angeregter Ladungsträger in AlGaN/GaN- und GaN/InGaN-Heterostrukturen untersucht. Die Heterostrukturen wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Saphirsubstrat gewachsen. Aus den temperaturabhängigen PL-Spektren und Zerfallskurven konnten die strahlenden und nichtstrahlenden Rekombinationszeiten für Heterostrukturen verschiedener Potentialtopfbreite bestimmt werden. Zusätzlich wurde der Einfluß von Barrieren unterschiedlicher Struktur auf die Rekombination untersucht. das werden, bzw. sind Test konnten