Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.17: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Herstellung und Charakterisierung von GaInN-Leuchtdioden — •T. Stephan, E. Geerlings, M. Kunzer, C. Manz, P. Schlotter, S. Müller, H. Obloh, K. Köhler und J. Wagner — Institut für Angewandte Festkörperphysik, Tullastraße 72,79108 Freiburg

Es wurden mehrere Serien von GaInN-Einfachquantenfilmen-LEDs bezüglich ihrer elektrooptischen Eigenschaften untersucht. Die LED-Schichtfolgen wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf 2 Zoll Saphir-Substraten aufgewachsen. Das Maximum der Elektrolumineszenz (EL) lag, abhängig von Dicke und In-Gehalt des Quantenfilms, zwischen 380 und 430 nm.

Bei allen Probenserien wurde systematisch eine Abnahme der EL Leistung mit abnehmender Wellenlänge des EL-Maximums beobachtet. Diese Abnahme in der EL-Effizienz kann durch die mit abnehmendem In-Gehalt geringer werdenden Fluktuationen im In-Gehalt, und damit verbunden flacheren Potentialmulden und zunehmender lateraler Diffusionslänge im Quantenfilm, erklärt werden. Bei temperaturabhängigen EL-Messungen im Bereich von -20^∘C bis 60^∘C konnte eine Abnahme der EL mit steigender Temperatur, beschrieben durch einen Temperaturkoeffizienten im Bereich von 0,2 und 1,2%/K beobachtet werden, wobei sich konsistent mit obiger Arbeitshypothese eine Zunahme des EL-Temperaturkoeffizienten mit Abnahme der Emissionswellenlänge zeigte.