Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.19: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Optische Nahfeldmikroskopie an GaInN/GaN-Heterostrukturen — •F. Hitzel, S. Lahmann, U. Rossow und A. Hangleiter — Institut für Technische Physik, TU Braunschweig

Defekte in InGaN/GaN Quantumwells haben geringen Einfluss auf die Ladungsträgerrekombination. Vielfach wird als Erklärung für diesen Effekt eine zufällige Verteilung von Gebieten unterschiedlichen In-Gehalts angenommen, in denen die Ladungsträger eingefangen werden, wodurch die Rekombinationswahrscheinlichkeit an den Defekten sinkt.

Mit einem Scanning Nearfield Optical Microscope (SNOM) betrachtet, sollten diese Gebiete je nach Größe entweder eine homogene oder eine vollkommen zufällige Lumineszenzverteilung liefern, jedoch keine Korrelation mit den Defekten selbst aufweisen. Genau dies können wir mit unseren Messungen nicht bestätigen. Nach zuverlässiger Bestimmung der Defektpositionen mittels nasschemischen Ätzens konnten wir eine Korrelation zwischen Emissionswellenlänge und Defektposition erkennen, was bedeutet, dass ein anderer Mechanismus für die Ineffektivität der Defekte in derartigen Strukturen verantwortlich sein muss. Mittels temperaturabhängiger SNOM-Messungen sowie höherer optischer Auflösung wird eine weitergehende Klärung dieses Effektes möglich.