Regensburg 2002 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.1: Poster
Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A
Bestimmung der Energieniveaus von Ni-korrelierten Defekten in synthetischem Diamant — •R.N. Pereira1,2, W. Gehlhoff1, N.A. Sobolev2, A.J. Neves2 und D. Bimberg1 — 1Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — 2Department of Physics, University of Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal
Die Verwendung von Ni-Katalysatoren bei der Hochdrucksynthese von Diamant
führt in Verbindung mit der Hauptverunreinigung N zu verschiedenen Ni-N
Komplexen. Neben bekannten Ni-korrelierten Defekten wurden 7 neue als
AB1-AB7 bezeichnete Zentren durch EPR nachgewiesen [1]. Für vier Zentren
wurde deren energetische Lage im Bandgap von Diamant mittels Photo-EPR
bestimmt. Indirekte photoinduzierte Umladungen des N-Donators und der
Nachweis von zwei komplementären Photoionisationsübergängen unter
Einschluss von substitutionellem Ni zeigen, dass der Nis−/0
Akzeptorzustand 2,49 eV unterhalb des Leitungsbandes (CB) liegt. Aus der
photoinduzierten Veränderung in Abhängigkeit von der
Anregungswellenlänge der orthorhombischen Zentren AB3 und AB4 mit S=1/2
konnten die korrespondierenden Umladungszustände bei E=ECB−2,3eV
bzw. E=ECB−2,06eV bestimmt werden. Das Niveau des AB5 Zentrums mit S=1
liegt bei E=ECB−1,88eV. Die Natur der für die beobachteten
photoinduzierten Umladungen der vier Zentren verantwortlichen Prozesse
werden diskutiert.
[1] R.N. Pereira et al., Diamond and Related Materials, (2001), in press