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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.20: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Molekularstrahlepitaxie von InGaN-Quantenpunkten auf MOVPE-GaN-Pseudosubstraten — •Lüder A. Kahrs, Carsten Kruse, Stephan Figge, Tim Böttcher und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik, Bereich Halbleiterepitaxie, Universität Bremen, Kufsteiner Straße, 28359 Bremen

Die Realisierung von InGaN-basierten Quantenpunktlasern ermöglicht die Erschließung des grün-blauen Spektralbereiches. Deshalb ist es Ziel der laufenden Untersuchungen, InN-Inseln mit Quantenpunkt-Größe herzustellen. Vorgestellt werden Wachstumsstudien der Molekularstrahlepitaxie (MBE) an dünnen Schichten von InN, wobei auf Pseudosubstraten gewachsen wurde. Diese bestehen aus einer mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie (MOVPE) hergestellten GaN-Schicht auf (0001)orientiertem Saphir-Substrat. Besonders interessieren hierbei der Wachstumsstart und die selbstorganisierte Inselbildung, die in-situ mit Hilfe der Reflektometrie sowie mit der weit verbreiteten Beugung schneller Elektronen (RHEED) untersucht werden. Zusätzlich wurde die Morphologie der Proben ex-situ mit der Rasterkraftmikroskopie (AFM) analysiert. Bei den Ergebnissen der Untersuchungen wird der Einfluß der verschiedenen Wachstumsparameter, wie der Substrattemperatur und des III-N-Flußverhältnisses, diskutiert.