Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.21: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Ellipsometrische Charakterisierung der GaN-Oberflächenstruktur unter UHV- und Epitaxienahen Bedingungen — •N. Wollschläger, C. Cobet, T. Schmidtling, N. Esser und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin

Sowohl auf der N-polaren GaN(0001) als auch auf der Ga-polaren GaN(0001)-Oberfläche sind eine Reihe von verschiedenen Rekonstruktionen bekannt. Um das Wachstum von Galliumnitrid in der MOCVD und MBE besser verstehen und kontrollieren zu können, ist es notwendig insbesondere die Struktur der wachsenden Oberfläche unter den gegebenen Wachstumsbedingungen zu kennen. Diese Oberflächen sind jedoch weitestgehend noch nicht untersucht.

Anhand ellipsometrischer Messungen vom sichtbaren bis in den VUV-Spektralbereich unter UHV- und epitaxienahen Bedingungen wurden verschiedene Oberflächen und Oberflächenrekonstruktionen charakterisiert. Die gewonnenen optischen Daten werden mit den bekannten Ergebnissen zur Oberflächenstruktur (STM, LEED) verknüpft und mit insitu ellipsometrischen Messungen, die an einer MOCVD-Anlage durchgeführt wurden, verglichen.