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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.24: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Ortsaufgelöste Photolumineszenz-Messungen an homoepitaktischen GaN-Schichten bei tiefen Temperaturen — •Ralf Schönfelder, Rolf Sauer und Klaus Thonke — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm

Wir stellen spektral und örtlich hochaufgelöste Tieftemperatur-Messungen an einer homoepitaktischen GaN-Schicht vor. Wir benutzen ein konfokales Tieftemperaturmikroskop, das Photolumineszenzmessungen bei Heliumtemperatur mit einer lateralen Ortsauflösung von ca 500 nm ermöglicht.

Die Schicht zeigt im Bandkantenbereich sowohl extrem scharfe (D⁰,X) wie auch (A⁰,X)-Übergänge mit einer Halbwertsbreite von etwa 100 µeV. Die Messungen zeigen verspannungsbedingte ortsabhängige Änderungen der Übergangsenergien von ca. 2 meV. Der (D⁰,X)-Übergang zeigt in unseren Messungen eine fünffache Unterstruktur mit ortsabhängigen Intensitäten. Wir schließen hieraus auf den Einbau mehrerer eng verwandter Donatorspezies mit geringfügig unterschiedlichen Bindungsenergien.