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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.25: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Gain-Spektroskopie an GaN/InGaN-Mehrfachquantenfilmen (MQW) und deren Abhängigkeit von experimentellen Parametern — •M. Spieker¹, S. Heppel¹, J. Off², F. Scholz² und A. Hangleiter¹ — ¹TU Braunschweig, Institut für Technische Physik, 38106 Braunschweig — ²Universität Stuttgart, 4.Physikalisches Institut, 70563 Stuttgart

Für das Design von Laserstrukturen ist die genaue Kenntnis der Eigenschaften der optischen Verstärkung (Gain) dieser Strukturen notwendig. Die für die technische Anwendung relevanten Parameter sind die Verstärkung in Abhängigkeit der Ladungsträgerdichte g(n) und das Verstärkungs-Spektrum g(E). Theoretisch werden diese Abhängigkeiten nur von physikalischen Parametern (z.B. Bandstruktur, interne Felder) und Strukturparametern (z.B QW-Dicke) bestimmt. Es existieren aber experimentelle Faktoren, die die gemessenen Spektren beeinflussen.

Dieser Störeinfluß wurde untersucht. Dabei stellte sich insbesondere die Güte der Abbildung als kritisch heraus. Nach Minimierung der Störeinflüsse wurden positive Übereinstimmungen zwischen experimentell bestimmten und berechneten Gain-Spektren erzielt. Die Proben unterscheiden sich hinsichtlich des Aufbaus der aktiven Zone. Die optische Verstärkung der untersuchten (InGa,Ga)N-Laserstrukturen wird mit der Variable-Strichlängen-Methode (VSLM) bestimmt. Die Berechnung der Verstärkungsspektren der MQW-Strukturen erfolgt unter der selbstkonsistenten Berücksichtigung der piezoelektrischen Felder.