Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.27: Poster
Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A
Temperaturabhängige Kathodolumineszenz von hexagonalen AlN und AlxGa1−xN-Schichten auf verschiedenen Substraten — •N. Teofilov1, L. Kirste2, M. Kočan3, A. Rizzi3, H. Lüth3, D. Ebling2, K. Benz2, K. Thonke1 und R. Sauer1 — 1Abteilung Halbleiterphysik Universität Ulm, 89069 — 2Freiburger Materialforschungszentrum, Universität Freiburg 79104 — 3ISG-1, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Bandkantennahe Lumineszenz von hexagonalen AlGaN-Epitaxieschichten wurde mit Hilfe von Kathodolumineszenz-Messungen (CL) bei Probentemperaturen von 10 K bis 330 K untersucht. Die AlxGa1−xN-Schichten (0 < x <1) mit hexagonaler Wurtzitstruktur wurden auf (0001) SiC(6H)-, (0001)α-Al2O3- und Si(111)-Substraten in einer plasmagestützten Molekularstrahlepitaxieanlage (MBE) hergestellt. Die Proben zeigen bei tiefen Temperaturen sehr starke bandkantenahe Lumineszenz und nur schwache tiefe Defektbanden.
Wir beobachten mehrere auflösbare exzitonische Übergänge, die vermutlich überwiegend Donator-gebundenen Exzitonen zuzuschreiben sind.
Die Halbwertsbreite der Linien ist für AlN sehr gering(∼ 14 meV) und nimmt durch die Kompositions-Unordnung für AlxGa1−xN deutlich zu. Wir diskutieren der Verlauf der Bandlücke als Funktion des Al-Gehaltes für Schichten auf Saphir- und SiC- Substraten sowie die Natur der beobachteten Emissionslinien.