Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.2: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

Elektronische Transportuntersuchungen an Si/Ge/Si- Quantenpunkt-Heterostrukturen — •K.-M. Haendel¹, R. J. Haug¹, U. Denker², O. G. Schmidt² und A.G.M. Jansen³ — ¹Istitut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover — ²Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstraße 1, D-70569 Stuttgart — ³Grenoble High Magnetic Field Laboratory, MPIF-CNRS, Boite Postale 166, F-38042 Grenoble Cedex 09

Wir zeigen el. Transportuntersuchungen an SiGe/Si/Ge/Si/SiGe-Tunnelstrukturen. Die Transportmessungen werden in einem Entmischungskryostaten im Temperaturbereich von 26 mK - 1 K durchgeführt. Zudem kann das Verhalten der Proben im Magnetfeld bis 28 T untersucht werden. Die IU-Kennlinien zeigen eine deutliche Nichtlinearität. Unterhalb von 400 mK lässt sich zwischen zwei Transportregimen unterscheiden. Einem Niedrigstromregime, mit einer Leitfähigkeiten von wenige µS und einem Hochstromregime, mit Leitfähigkeiten von einigen mS. Der Übergang zwischen den Regimen geschieht im Spannungsbereich von 550 mV bis 580 mV. Unterhalb von 200 mK geschieht der Übergang zwischen den Regimen sprunghaft. Durch ein äußeres Magnetfeld lässt sich auch für Temperaturen oberhalb von 200 mK ein sprunghafter Übergang zwischen den Regimen herbeiführen. Mit zunehmendem Magnetfeld verschiebt sich der Sprungpunkt zu höheren Spannungen. Der Schalteffekt ist sowohl bei parallel als auch bei senkrecht zum Strom verlaufendem Magnetfeld sichtbar. Der Sprungeffekt kann bei allen Strukturen, deren Ge-Schicht dicker als 4.5 ML ist beobachtet werden, bei Proben mit 4.5 ML tritt der Sprungeffekt nicht auf.