Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.30: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Ätzen von GaAs mit gepulstem Ionenstrahl — •Jens Dienelt, Klaus Zimmer und Bernd Rauschenbach — Institut für Oberflächenmodifizierung e. V. Leipzig, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig

Es wird der Einsatz eines elektrischen Schalters zum Pulsen eines Ionenstrahles während des chemisch unterstützten Ionenstrahlätzen (CAIBE) von GaAs mit Chlor vorgestellt. Dabei kann die Dynamik des ablaufenden Reaktionsmechanismusses zwischen Chlor und GaAs untersucht werden. Weiterhin ist es möglich, durch Extraktion von Elektronen in der Strahlpause die Probenoberfläche zu neutralisieren, ohne einen zusätzlichen Neutralisator zu verwenden. Somit kann man die Prozessbedingungen über einen wesentlich längeren Zeitraum aufrecht erhalten bevor ein Wartungszyklus notwendig wird.

Durch Variation der Frequenz und des Tastverhältnisses kann die Ionenbestrahlungsdauer pro Puls von 10?s bis 18ms variiert werden. Sowohl die Zeit der Bestrahlung als auch die Zeit der Strahlpause beeinflussen das Abtragsverhalten beim CAIBE-Prozess von GaAs mit Chlor. Es wird gezeigt, dass sich bei einer Verlängerung der Strahlpause der Abtrag unter gleicher Ionenfluenz erhöht. Außerdem wird der Einfluss des elektrisch gepulsten Ionenstrahls auf die Schädigung der Oberfläche durch den Ionenbeschuss vorgestellt und diskutiert.