Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.31: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

MOVPE von B_xGa_1−xAs- und B_xGa_1−x−yIn_yAs-Mischkristallschichten auf ( 001) GaAs — •Volker Gottschalch¹, Gunnar Leibiger¹ und Gabriele Benndorf² — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie — ²Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II

Der Bor-Einbau in B_xGa_1−x−yIn_yAs mittels MOVPE (metal-organic vapor-phase epitaxy) wurde untersucht und die erzielten optischen und elektronischen Eigenschaften ermittelt. Es wurden unter Verwendung von Triethylbor, TMGa, TMIn und Arsin dreidimensionale Epitaxieschichten, MQW-Strukturen und Emitterstrukturen (λ > 1000 nm) auf (001) GaAs-Substraten abgeschieden. Bis zu einer Bor-Konzentration von 4% war mit Triethylbor ein reproduzierbarer Boreinbau zu verzeichnen, wobei eine Abhängigkeit des Bor-Einbaus sowohl von dem As-Partialdruck als auch der Substratorientierung nachgewiesen wurde. PL- und Ellipsometrie-Untersuchungen ergaben beim B_xGa_1−xAs im Gegensatz zum N-Einbau im GaN_yAs_1−y einen wesentlich geringeren und konstanten "bowing"-Koeffizenten von ca. 2 eV. MQW-Strukturen von B_xGa_1−xAs und B_xGa_1−x−yIn_yAs mit GaAs konnten mit guter Schichtdickenreproduzierbarkeit und glatten Grenzflächen dargestellt werden. Die Bor- und In-Konzentrationen wurden in den Bereichen 0 < x < 0.04 und 0 < y < 0.4 variiert. Erste Lumineszenzergebnisse an Emitterstrukturen mit einer Emissionswellenlänge von ca.1100 nm werden vorgestellt.