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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.33: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Kritische Punkte und Phononen in B_xGa_1−xAs und GaN_yAs_1−y: ein Vergleich — •Gunnar Leibiger¹, Volker Gottschalch¹, Mathias Schubert² und Volker Riede² — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie — ²Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II

Ziel unserer Untersuchung war es, die beiden neuartigen Mischkristallsysteme B_xGa_1−xAs und GaN_yAs_1−y hinsichtlich ihrer elektronischen und phononischen Eigenschaften zu vergleichen. B_xGa_1−xAs (0 ≤ x ≤ 0.03) und GaN_yAs_1−y (0 ≤ y ≤ 0.037) Schichten wurden mittels MOVPE auf GaAs Substraten abgeschieden. Als Untersuchungsmethoden wurden die spektroskopische Ellipsometrie im fern-infraroten bis UV-Spektralbereich (100-600 cm-1 und 0.75-8.3 eV) sowie die Raman-Spektroskopie angewendet. Im Gegensatz zu GaN_yAs_1−y zeigt der E_g(x)-Verlauf von B_xGa_1−xAs nur einen sehr kleinen Bowingkoeffizienten. Höherenergetische kritische Punkte werden mit steigendem Bor-Gehalt leicht rotverschoben. Während man im GaN_yAs_1−y neben der GaAs-Phononenmode eine GaN-artige Mode beobachtet, die infrarot- und Raman-aktiv ist, lässt sich im B_xGa_1−xAs die BAs-artige Mode nur mittels Raman-Spektroskopie nachweisen. Die gewonnenen Resultate werden mit Hilfe eines einfachen Modells erklärt.