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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.34: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Quantifizierung der Bildung von Leerstellen auf (110)-Oberflächen von III-V-Halbleitern — •U. Semmler, Ph. Ebert und K. Urban — Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Auf (110)-Spaltoberflächen von III-V-Halbleitern entstehen im Ultrahochvakuum spontan Oberflächenleerstellen. Die bei diesem Prozeß zu überwindende Energiebarriere wird von einer Vielzahl von Parametern, wie der Dotierung des Halbleiterkristalls, der Anzahl der bereits gebildeten Leerstellen und der Temperatur, empfindlich beeinflußt. Zur Untersuchung dieses Effektes wurde mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie die zeitliche Änderung der Leerstellenkonzentration auf verschiedenen Proben in Abhängigkeit von der Temperatur bestimmt. Ein daraus entwickeltes Modell erlaubt es, die Bildungsbarriere auf (1,2±0,1) eV zu bestimmen. Des weiteren können daran die verschiedenen Anteile, wie der Einfluß des elektronischen Systems und die genaue Abhängigkeit von der Temperatur, detailliert diskutiert werden.