Regensburg 2002 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.37: Poster
Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A
Ortsaufgelöste IU-Spektroskopie an SiGa-Donatoren in der GaAs (110)-Spaltfläche bei 8K — •K. Sauthoff, M. Wenderoth, J.K. Garleff, T.C.G. Reusch und R.G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen, Germany
Die GaAs (110)-Spaltfläche bietet sich auf Grund günstiger Eigenschaften zu Rastertunnelmikroskop-Untersuchungen an: Zum einen ist das Fermi-Niveau nicht gepinnt, zum anderen sind die Dotieratome auch bei hohen Konzentration von 1· 10 18cm−3 klar voneinander trennbar. Wir haben diese Fläche mittels Querschnittsrastertunnelmikroskopie bei 8K mit atomarer Auflösung spektroskopiert (I(U,x,y)). Dabei haben wir die Kennlinien im Konstantstrommodus für verschiedene Orte auf der Spaltfläche analysiert: Es wurden (a) Vergleiche zwischen Spektren auf und neben Donatoren (SiGa) und der ungestörten Oberfläche sowie (b)zwischen Daten auf Gallium- bzw. Arsenatomen vorgenommen. Die Anwesenheit der Tunnelspitze bewirkt bei negativer Probenspannung eine Ladungsträgerakkumulation an der Oberfläche. Die laterale Ausdehnung dieser Raumladungszone ist durch die Abmessungen der Spitze, die Tiefe durch EC(z) bestimmt. In den I(U,x,y)-Daten findet man wie auch schon in früheren Messungen spitzeninduzierte quantisierte Zustände unabhängig vom Ort [1]. Die Analysen liefern auch Hinweise darauf, dass es charakteristische Merkmale in den Kennlinien als Funktion des Ortes gibt, die mit der LDOS-Funktion der Störstellen korreliert sind.
Dieses Projekt wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gefördert.
[1] M. Wenderoth et al., Europhys. Lett. 45 (5) 579 (1999).