Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.41: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Röntgenfeinstrukturuntersuchungen an MOCVD-ZnO(/GaN)-Schichten auf Saphir- und Si(111)-Substraten — •Marco Adam, J. Bläsing, N. Oleinik, A. Dadgar, M. Poschenrieder und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg PF 4120, D-39016 Magdeburg

Mit Hilfe der MOCVD wurden Zinkoxidschichten (auf GaN) auf Silizium (111)-Substraten und auf Saphirsubstraten in einem Temperaturbereich von 400 bis 500 Grad Celsius mit Dimethylindium und Propanol als Precursoren abgeschieden. Der Abscheideprozess erfolgte bei unterschiedlichen Wachstumsparametern, wie z.B. Temperatur, Wachstumsrate, II-VI-Verhältnis und totalem Gasdruck. Die Schichten wurden unter anderem mit Hilfe der hochauflösenden Röntgenbeugung (HRXRD) untersucht. Messungen an symmetrischen und asymmetrischen reziproken Gitterpunkten (RSM), sowie Rockingkurven und 2:1-scans liefern Aussagen über die Störungsdichte, die Mosaizität, die Zusammensetzung und den Verspannungszustand in Abhängigkeit von den Abscheideparametern. Zum Verständnis der Wachstumsprozesse tragen hierbei vor allem tiefenaufgelöste Untersuchungen der reziproken Gitterpunkte vom Typ (h 0 -h 0) mittels Röntgenbeugung bei streifendem Ein- und Ausfall (GIXRD) bei. An der Grenzfläche GaN/ZnO wurde eine defektreiche Zwischenschicht gefunden.