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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster 2
HL 38.45: Poster
Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A
Thermische Stabilität von Defekten in ZnO Einkristallen — •D R Pfisterer, H Alvez, H Zhou, A Zeuner, A Hofstaetter und B K Meyer — I.Physikalisches Institut,Abt. Prof.Dr. Bruno K. Meyer, Heinrich-Buff-Ring 16, 35398 Giessen
Undotierte ZnO Einkristalle die Temperaturbehandlungen unterzogen wurden, wurden mit Elektronen Spin Resonanz (ESR) und Hallmessungen untersucht.Für Kristalle, die im Bereich von 600∘C bis 850∘C getempert wurden, zeigte sich in der ESR neben dem Signal der flachen Donatoren ein Zentrum, das residuären Stickstoff zugeordnet werden muss. Die g-Werte des N-Zentrums sind g∥=1.995 und g⊥=1.963 (∥ und ⊥ zur c-Achse des Kristalls) und die isotrope und anisotrope Hyperfeinwechselwirkung mit Stickstoff, Aiso=1.225 mT und Aaniso=0.864 mT. Dies deutet darauf hin, dass es sich um einen tiefen Akzeptor handelt. Unterstützt wird diese Interpretation durch temperaturabhaängige Hall-Messungen, die eine reduzierte Ladungsträgerkonzentration nach den Temperbehandlungen zeigen.