Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.51: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

CVD von undotiertem ZnO mit verschiedenen Sauerstoffvorstufen — •Björn Spruck, A. Zeuner, H. Alvez, D. Pfisterer, D.M. Hofmann und B.K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Giessen

Das Wachstum von ZnO mit verschiedenen Sauerstoffvorstufen ( NO₂ , N₂O und O₂ ) wurde auf einer selbst entwickelten vertikalen CVD Anlage untersucht. Als Substrate kamen GaN und ZnO Einkristalle zum Einsatz. In den Prozessen diente Stickstoff als Transportgas und die Wachstumsparameter Gesamtdruck und Temperatur wurden in den Bereichen 20-120 mbar und 550^∘C−850^∘C variiert. Die strukturellen Eigenschaften der Epitaxieschicht wurden mit Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie untersucht, die optischen und elektrischen Eigenschaften durch temperaturabhängige Photolumineszenz und Hallmessungen.