Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.52: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

Ionenimplantation in ZnO — •Frank Reuss¹, Christoph Kirchner¹, Nataliya Deyneka², Johannes Eisenmenger², Paul Ziemann², Klaus Thonke¹, Rolf Sauer¹ und Andreas Waag¹ — ¹Universität Ulm, Halbleiterphysik — ²Universität Ulm, Festkörperphysik

Der II-VI Verbindungshalbleiter ZnO ist aufgrund seiner grossen Bandlücke von 3,3 eV (RT) ein sehr interessanter Kandidat für optoelektronische Anwendungen im blauen und UV-Spektralbereich. Zur Herstellung von Bauelementen wie beispielsweise LEDs werden qualitativ hochwertige p- und n-Typ-ZnO-Schichten benötigt. Im Zusammenhang mit dem guten Ausheilverhalten von ZnO untersuchen wir die Möglichkeit der Dotierbarkeit (p-Typ als auch n-Typ) dieser Schichten mittels Ionenimplantation. Es werden Untersuchungen sowohl an MOCVD-gewachsenen Schichten als auch an kommerziellen ZnO-Substraten vorgestellt.

Einen weiteren sehr interessanten Aspekt bietet die Implantation von 3d-Übergangsmetallen wie beispielsweise Mn oder Co in ZnO. Die Austauschwechselwirkung der d-Elektronen der implantierten Ionen mit den Elektronen bzw. Löchern des ZnO führt zu einem magnetischen Verhalten des Halbleiters (DMS).

Die implantierten ZnO-Schichten werden hinsichtlich ihrer strukturellen, optischen, elektrischen und magnetischen Eigenschaften untersucht.