Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.56: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Zn_xCd_1−xO-Nanostrukturen hergestellt mittels Polymer-Masken — •A. Ladenburger¹, M. Haupt¹, H. Xu², H. Rauscher³, S. Riethmüller², W. Gödel², M. Möller², R. Sauer¹ und K. Thonke¹ — ¹Abt. Halbleiterphysik, Univ. Ulm — ²Abt. Organ. Chemie III, Univ. Ulm — ³Abt. Oberflächenchemie und Katalyse, Univ. Ulm

Wir stellen die unkonventionelle Produktion von Zn_xCd_1−xO -Nano-Halbleiterstrukturen mit Größen von 5-300nm mit Hilfe von selbstorganisierenden Polymeren vor. Zur Herstellung von Zn_xCd_1−xO -Nanostrukturen werden einerseits in Lösung befindliche Diblock-Copolymer-Mizellen mit Zn- bzw. Cd-Salzen beladen. Durch Abscheidung eines monomizellaren Films auf geeignete Substrate und anschließende Behandlung in einem O-Plasmaprozess entstehen geordnete „Cluster“ der II-VI-Halbleiter auf der Oberfläche. Andererseits dienen ultradünne Polymerschichten mit Poren, die mittels Silikatkolloiden hergestellt wurden, als strukturgebende Maske. Die Poren werden mit Cd- und/oder Zn-Salzen in Lösung befüllt. Im anschließenden O-Plasma-Prozess wird die Polymerschicht abgetragen und es entstehen regelmäßig angeordnete Nano-Tori aus Zn_xCd_1−xO. Die entstandenen Strukturen werden durch AFM, REM, XRD, XPS und PL charakterisiert.