Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.58: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 16:30–19:00, Poster A

Sulfidisches photochemisches Ätzen - eine Methode zum Schreiben feiner definierter Strukturen auf III-V Halbleiteroberflächen — •Thorsten Simonsmeier und Wolfgang Bauhofer — AB Materialien der Elektrotechnik und Optik, TU Hamburg-Harburg, Eißendorfer Str. 38, D-21073 Hamburg

III-V Halbleiter spielen eine große Rolle bei der Herstellung von vielen elektronischen Bauelementen. Insbesondere die Erzeugung sehr feiner definierter Strukturen auf Halbleiteroberflächen ist von besonderem Interesse für die Mikro- und Optoelektronik.

Untersucht wird die Behandlung einer GaAs-Oberfläche mit unterschiedlichen Natriumsulfid-Lösungen. Bei dem Prozess findet ein Abbau der natürlichen Oxidschicht durch einen Ätzprozess bei gleichzeitiger Passivierung der Oberfläche mit einer Sulfidschicht statt. Die gezielte Beleuchtung der Probe während der Oberflächenbehandlung mit Laserlicht führt zu einer erheblichen Steigerung der Ätzrate, die es ermöglicht, anistrope kontrollierte Strukturen auf die Oberfläche zu schreiben.

Diskutiert werden die Ätzraten bei dem photochemischen sulfidischen Prozess in Abhängigkeit vom verwendeten Lösungsmittel unter verschiedenen Beleuchtungsverhältnissen. Variiert werden u.a. die Wellenlänge und die Intensität des Laserlichtes während der Oberflächenbehandlung, sowie die Behandlungsdauer.