Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster 2

HL 38.5: Poster

Thursday, March 14, 2002, 16:30–19:00, Poster A

Einfluss des Niedrigtemperaturwachstums auf die Morphologie virtueller SiGe Substrate — •Christian Hofer¹, Gregor Hlawacek¹, Christian Teichert¹, Klara Lyutovich², Matthias Bauer² und Erich Kasper² — ¹Institut für Physik, Montanuniversität Leoben, 8700 Leoben, Austria — ²Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart, 70569 Stuttgart, Germany

In virtuellen SiGe Substraten für Hochfrequenzmikroelektronikanwendungen können Schichtspannungen durch Injektion von Punktdefekten abgebaut werden. Hier ermöglicht dies ein MBE-Wachstumsschritt bei niedrigen Temperaturen. Mittels Rasterkraftmikroskopie wurde der Einfluss der Wachstumstemperatur, sowie von zusätzlichem Ionenbeschuss bzw. Sb-Vorbedampfung auf die resultierende Schichtmorphologie untersucht.

Dabei wurde gefunden, dass die Temperatur, bei der das Versetzungsnetzwerk erscheint, stark von den Wachstumsbedingungen abhängt. Bei sehr hoher Versetzungsdichte bildet sich spontan ein schachbrettartiges Muster von {105} facettierten Pyramiden und Gruben mit einer „Gitterkonstante“ von ungefähr 200 nm.