Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Pr
äparation/Charakterisierung

HL 42.2: Talk

Friday, March 15, 2002, 11:15–11:30, H13

Identifikation Erbiumkorrelierter Störstellen in SiC — •G. Pasold¹, F. Albrecht¹, J. Grillenberger¹, C. Hülsen¹, U. Großner¹, R. Sielemann² und W. Witthuhn¹ — ¹Friedrich-Schiller-Universität Jena, Institut für Festkörperphysik, Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena — ²Hahn- Meitner- Institut Berlin, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin

Epitaktisch gezüchtete n- und p-Typ 4H-SiC- Schichten wurden mittels Rückstoßimplantation am Ionenstrahllabor des HMI (Berlin) mit radioaktiven ¹⁶⁰Er Isotopen dotiert. Während der Elementumwandlung zum stabilen Isotop ¹⁶⁰Dy (über ¹⁶⁰Ho) wurden an den präparierten Schottky- Kontakten wiederholt Deep Level Transient Spectroscopy- Messungen durchgeführt, um Eigenschaften der durch die implantierten Isotope hervorgerufenen tiefen Störstellen zu untersuchen.
In p-Typ 4H-SiC ist eine tiefe Störstelle mit fallender Konzentration (E_T=E_V + 0.74(1)eV;  σ = 2(1)· 10⁻¹⁴cm²) detektierbar. Die Konzentration dieser Störstelle nimmt mit der Halbwertszeit T_{0.5ex 1 −0.1em/−0.15em 0.25ex 2}= 28.8h des Kernzerfalls von ¹⁶⁰Er ab. Eine eindeutige Zuordnung dieser Störstelle zum implantierten Er ist somit möglich. Das Entstehen neuer tiefer Störstellen (eventuell Dy korreliert) wird in keiner der untersuchten Proben beobachtet.