Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 42: Pr
äparation/Charakterisierung

HL 42.5: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 12:00–12:15, H13

Holographische Abbildung von Korngrenzen in Silizium in der Transmissionselektronenmikroskopie — •L. Houben¹, M. Luysberg¹ und T. Brammer² — ¹Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich — ²Institut für Photovoltaik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Die holographische Aufzeichnung von Phase und Amplitude in der transmissionselektronenmikroskopischen Abbildung erlaubt im Gegensatz zur konventionellen Abbildung eine quantitative Analyse lokaler Änderungen im inneren Potential einer Probe auf mikroskopischer Skala. Sie bietet daher prinzipiell die Möglichkeit, komplementär zur konventionellen Strukturanalyse in der TEM elektrisch aktive Defekte auf mikroskopischer Skala zu untersuchen. Wir haben off-axis Holographie in der TEM zur Potentialabbildung an ausgesuchten elektrisch aktiven [110] Kippkorngrenzen in Silizium angewendet. Die gemessene Variation im inneren Potential ist nicht im Einklang mit dem idealisierten Modell der symmetrischen Schottky Barriere (SSB) im thermischen Gleichgewicht. Mögliche Ursachen dieser Diskrepanz werden untersucht, so wird die Ladungsträgerkonzentration durch Elektron-Loch Paarerzeugung im Elektronenstrahl und durch das Vorhandensein der Probenoberfläche beeinflußt. Anhand numerischer Simulationen zum Einfluss beider Faktoren werden Abweichungen gegenüber einer idealisierten Potentialvariation an der Korngrenze aufgezeigt. Die Simulationen erlauben die Quantifizierung systematischer Fehler in der Bestimmung des lokalen inneren Potentials in Halbleiterbauelementen mittels TEM.