Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Si/Ge

HL 43.6: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 11:45–12:00, H14

Photogalvanischer Effekt in Si/Ge-Quantentrögen — •M. Sollinger¹, S. D. Ganichev^1,2, F.-P. Kalz¹, U. Rössler¹, W. Prettl¹, E. L. Ivchenko², V. V. Bel’kov², R. Neumann³, K. Brunner³ und G. Abstreiter³ — ¹Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg — ²A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, 194021 St. Petersburg, Russland — ³Walter Schottky Institut, TU München, 85748 Garching

In Si/Ge Quantentrogstrukturen wurden der lineare und der zirkulare photogalvanische Effekt beobachtet. Beide Effekte treten bei Infrarotbestrahlung von (001)- und (113)-orientierten p−Si/Si_1−xGe_x Quantentrogstrukturen auf. Photogalvanische Effekte setzen Systeme ohne Inversionssymmetrie voraus. In Si/Ge Quantentrögen wird dies durch asymmetrische Strukturierung und Dotierung erzielt. Die experimentellen Ergebnisse wurden im Hinblick auf mögliche Symmetrien der Strukturen analysiert.

Der zirkulare photogalvanische Effekt in Quantentrögen ensteht aufgrund von optischer Spinorientierung mit zirkular polarisiertem Licht. Die Reduktion der Symmetrie in 2D Strukturen verursacht eine Aufspaltung spinentarteter Subbänder im k-Raum. Dies, zusammen mit der Spinorientierung, resultiert in einer gerichteten Bewegung freier Ladungsträger in der Ebene der Quantentröge.