Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: GaN II

HL 44.6: Vortrag

Freitag, 15. März 2002, 12:00–12:15, H15

Ionensensitive Transistoren und chemische Sensoren auf Basis von Gruppe III-Nitriden — •Georg Steinhoff, Verena Weiss, Martin Hermann, Barbara Bauer, Martin Eickhoff, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, D-85748 Garching

UV-Detektoren sind bisher die bekannteste Anwendung von GaN-Sensoren. In jüngster Zeit konnte darüber hinaus gezeigt werden, dass Pt:GaN Schottky-Dioden zur Detektion unterschiedlicher Gase verwendet werden können. Die pyroelektrischen Eigenschaften der Gruppe III-Nitride erlauben darüber hinaus die Realisierung von AlGaN/GaN- Heterostrukturen, die an der Grenzfläche ein polarisationsinduziertes zweidimensionales Elektronengas ausbilden. Dessen Ladungsträgerdichte wird empfindlich von der Benetzung der Oberfläche durchpolare Flüssigkeiten oder der Anwesenheit von Ionen in wässriger Lösung bzw. ionisierten Gasen beeinflusst. Die Ausnutzung dieser Empfindlichkeit zur Realisierung von oberflächensensitiven chemischen Sensoren und ionensensitiven Bauelementen sowie deren Charakterisierung und eine Analyse der zugrundeliegenden Detektionsmechanismen sind Gegenstand der vorgestellten Arbeiten.